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Product Center
单晶圆清洗设备
沈阳超夷单晶圆清洗设备可以用于对晶圆表面，背面及晶圆边缘的清洗，通过我公司自主研发的二流体喷嘴技术可将附着在晶圆表面的细微颗粒污染物去除，实现高效去除。通过大量仿真与工艺试验相结合，优化出最佳的清洗工艺参数，确保不损伤晶圆表面的图形；对于微米级别大颗粒，采用特殊材料的毛刷或高压喷淋对晶圆进行擦洗去除。配合特有的晶圆翻转装置和夹持式承片台，可在同一台设备中实现对晶圆的正反两面进行清洗。
设备配置
1. LOADPORT×4
2. 正洗单元×4
3. 背洗单元×4
4. 翻转单元×2
2. 正洗单元×4
3. 背洗单元×4
4. 翻转单元×2
产品优势
1. 机台采用防静电管路，防止水中静电荷到达晶圆表面，对图形造成破坏。
2. 翻转单元接触点少，减小了与晶圆的接触面积。
3. 配有背面软刷清洗与边缘刷洗。
4. 机台优化传输路径，产能大幅提升。
5. 通过4层叠层布局，实现设备占地最小化。
6. 软件客制化，界面友好，可按照客户要求更改
7. 适用于超薄晶圆。
8. 售后服务：响应快，当地驻厂服务（7X24小时）。
9. 支持工厂自动化。
2. 翻转单元接触点少，减小了与晶圆的接触面积。
3. 配有背面软刷清洗与边缘刷洗。
4. 机台优化传输路径，产能大幅提升。
5. 通过4层叠层布局，实现设备占地最小化。
6. 软件客制化，界面友好，可按照客户要求更改
7. 适用于超薄晶圆。
8. 售后服务：响应快，当地驻厂服务（7X24小时）。
9. 支持工厂自动化。
应用领域
● 晶片炉管前后清洗
● 化学气相沉积（CVD）前后的清洗
● 物理气相沉积（PVD）前后的清洗
● 化学机械抛光（CMP）前后的清洗，前后段干法刻蚀后的清洗
● 特殊工艺要求晶圆背部及晶圆边缘的清洗
